PH3120L,115
Número do Produto do Fabricante:

PH3120L,115

Product Overview

Fabricante:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Número da Peça:

PH3120L,115-DG

Descrição:

NEXPERIA PH3120L - 100A, 20V, 0.
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventário:

17889 Pcs Novo Original Em Estoque
12968120
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PH3120L,115 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Bulk
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.65mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
48.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4457 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK56, Power-SO8
Pacote / Estojo
SC-100, SOT-669

Informação Adicional

Outros nomes
2156-PH3120L,115-954
Pacote padrão
1,110

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
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