TP65H035G4QS
Número do Produto do Fabricante:

TP65H035G4QS

Product Overview

Fabricante:

Transphorm

DiGi Electronics Número da Peça:

TP65H035G4QS-DG

Descrição:

650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TOLL

Inventário:

RFQ Online
13259168
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TP65H035G4QS Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SuperGaN®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.8V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TOLL
Pacote / Estojo
8-PowerSFN

Informação Adicional

Outros nomes
1707-TP65H035G4QSDKR
TP65H035G4QS-TR
1707-TP65H035G4QSCT
1707-TP65H035G4QSTR
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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