Número do Produto do Fabricante:
TP65H050G4YS
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
DiGi Electronics Número da Peça:
TP65H050G4YS-DG
Descrição:
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventário:
450 Pcs Novo Original Em Estoque
13259175
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TP65H050G4YS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
Tube
Série
SuperGaN®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.8V @ 700µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
132W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4L
Pacote / Estojo
TO-247-4
Informação Adicional
Outros nomes
1707-TP65H050G4YS
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
Certificação DIGI
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