Número do Produto do Fabricante:
XPN6R706NC,L1XHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
XPN6R706NC,L1XHQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Inventário:
29285 Pcs Novo Original Em Estoque
12938222
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XPN6R706NC,L1XHQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 300µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
840mW (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
XPN6R706
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-XPN6R706NCL1XHQTR
XPN6R706NC,L1XHQ(O
264-XPN6R706NCL1XHQCT
264-XPN6R706NCL1XHQDKR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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