Número do Produto do Fabricante:
TK1R4S04PB,LXHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK1R4S04PB,LXHQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 120A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventário:
2892 Pcs Novo Original Em Estoque
12938227
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TK1R4S04PB,LXHQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSIX-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 60A, 6V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5500 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK+
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TK1R4S04
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK1R4S04PBLXHQDKR
264-TK1R4S04PBLXHQCT
264-TK1R4S04PBLXHQTR
TK1R4S04PB,LXHQ(O
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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