Número do Produto do Fabricante:
TW083N65C,S1F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TW083N65C,S1F-DG
Descrição:
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Through Hole TO-247
Inventário:
162 Pcs Novo Original Em Estoque
12986853
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TW083N65C,S1F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
113mOhm @ 15A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 600µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
873 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
111W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247
Pacote / Estojo
TO-247-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-TW083N65CS1F
TW083N65C,S1F(S
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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