Número do Produto do Fabricante:
PSMN6R3-120PS
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN6R3-120PS-DG
Descrição:
PSMN6R3-120PS - N-CHANNEL 120V S
Descrição Detalhada:
N-Channel 120 V 70A (Ta) 405W (Ta) Through Hole TO-220AB
Inventário:
319 Pcs Novo Original Em Estoque
12986865
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PSMN6R3-120PS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
120 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
70A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
207.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11384 pF @ 60 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
405W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-PSMN6R3-120PS
Pacote padrão
141
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificação DIGI
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