Número do Produto do Fabricante:
TPW4R008NH,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPW4R008NH,L1Q-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 116A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventário:
12891256
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TPW4R008NH,L1Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
116A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5300 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DSOP Advance
Pacote / Estojo
8-PowerWDFN
Número do produto base
TPW4R008
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TPW4R008NHL1QTR
TPW4R008NHL1QCT
TPW4R008NH,L1Q(M
TPW4R008NHL1QDKR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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