Número do Produto do Fabricante:
2SJ380(F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SJ380(F)-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Inventário:
12891266
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2SJ380(F) Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220NIS
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
2SJ380
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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