Número do Produto do Fabricante:
TPH6R30ANL,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPH6R30ANL,L1Q-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 66A (Ta), 45A (Tc) 2.5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventário:
1336 Pcs Novo Original Em Estoque
12890900
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ENVIAR
TPH6R30ANL,L1Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
66A (Ta), 45A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4300 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP Advance (5x5)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
TPH6R30
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-TPH6R30ANL,L1QDKR
264-TPH6R30ANL,L1QCT
TPH6R30ANLL1Q-DG
TPH6R30ANLL1Q
264-TPH6R30ANL,L1QTR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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