Número do Produto do Fabricante:
2SK3868(Q,M)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SK3868(Q,M)-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventário:
12890904
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2SK3868(Q,M) Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
2SK3868
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FQPF5N50CYDTU
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
34713
NÚMERO DA PEÇA
FQPF5N50CYDTU-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.72
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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