Número do Produto do Fabricante:
TK6Q60W,S1VQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK6Q60W,S1VQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventário:
36 Pcs Novo Original Em Estoque
12890251
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TK6Q60W,S1VQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
820mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 310µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
390 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número do produto base
TK6Q60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK6Q60W,S1VQ(S
TK6Q60WS1VQ
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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