Número do Produto do Fabricante:
TK380P65Y,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK380P65Y,RQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 9.7A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventário:
2188 Pcs Novo Original Em Estoque
12890253
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TK380P65Y,RQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
DTMOSV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 360µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
590 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TK380P65
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK380P65YRQDKR
TK380P65YRQTR
TK380P65YRQ(S
TK380P65YRQCT
TK380P65Y,RQ(S
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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