Número do Produto do Fabricante:
TK58E06N1,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK58E06N1,S1X-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 58A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12891154
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TK58E06N1,S1X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
58A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3400 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TK58E06
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK58E06N1,S1X(S
TK58E06N1S1X
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDP047N08
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4680
NÚMERO DA PEÇA
FDP047N08-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.45
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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