Número do Produto do Fabricante:
FDP047N08
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDP047N08-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 164A (Tc) 268W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
4680 Pcs Novo Original Em Estoque
12847162
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FDP047N08 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
164A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9415 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
268W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FDP047
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
NTGS3433T1G
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
FDS6609A
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
