Número do Produto do Fabricante:
TPW1R306PL,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPW1R306PL,L1Q-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventário:
9693 Pcs Novo Original Em Estoque
12890732
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ENVIAR
TPW1R306PL,L1Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSIX-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
260A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.29mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8100 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DSOP Advance
Pacote / Estojo
8-PowerWDFN
Número do produto base
TPW1R306
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TPW1R306PLL1QCT
TPW1R306PLL1QDKR
TPW1R306PLL1QTR
TPW1R306PL,L1Q(M
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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