Número do Produto do Fabricante:
TK25V60X5,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK25V60X5,LQ-DG
Descrição:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventário:
2500 Pcs Novo Original Em Estoque
12988396
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ENVIAR
TK25V60X5,LQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 1.2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DFN-EP (8x8)
Pacote / Estojo
4-VSFN Exposed Pad
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK25V60X5LQTR
264-TK25V60X5LQTR-DG
264-TK25V60X5,LQTR
264-TK25V60X5,LQDKR
264-TK25V60X5,LQTR-DG
264-TK25V60X5,LQCT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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