Número do Produto do Fabricante:
TJ90S04M3L,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TJ90S04M3L,LQ-DG
Descrição:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Descrição Detalhada:
P-Channel 40 V 90A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventário:
69 Pcs Novo Original Em Estoque
12988410
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TJ90S04M3L,LQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
90A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
172 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7700 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK+
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-TJ90S04M3L,LQDKR
264-TJ90S04M3LLQTR-DG
264-TJ90S04M3L,LQTR
264-TJ90S04M3LLQTR
264-TJ90S04M3L,LQCT
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TJ90S04M3L,LXHQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6685
NÚMERO DA PEÇA
TJ90S04M3L,LXHQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.61
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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