Número do Produto do Fabricante:
TK16G60W5,RVQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK16G60W5,RVQ-DG
Descrição:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
2000 Pcs Novo Original Em Estoque
12988809
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ENVIAR
TK16G60W5,RVQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 790µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK16G60W5,RVQCT
264-TK16G60W5RVQTR-DG
264-TK16G60W5RVQTR
264-TK16G60W5,RVQDKR
264-TK16G60W5,RVQTR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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