Número do Produto do Fabricante:
IMT65R072M1HXUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IMT65R072M1HXUMA1-DG
Descrição:
SILICON CARBIDE MOSFET
Descrição Detalhada:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventário:
2000 Pcs Novo Original Em Estoque
12988814
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IMT65R072M1HXUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolSiC™
Status do produto
Active
Tipo FET
-
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
-
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
-
Vgs (máx.)
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-HSOF-8-1
Pacote / Estojo
8-PowerSFN
Informação Adicional
Outros nomes
448-IMT65R072M1HXUMA1TR
448-IMT65R072M1HXUMA1DKR
448-IMT65R072M1HXUMA1CT
SP005716849
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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