TK10P60W,RVQ
Número do Produto do Fabricante:

TK10P60W,RVQ

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TK10P60W,RVQ-DG

Descrição:

MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventário:

5042 Pcs Novo Original Em Estoque
12889141
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TK10P60W,RVQ Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
700 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TK10P60

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
TK10P60WRVQDKR
TK10P60WRVQCT
TK10P60W,RVQ(S
TK10P60WRVQTR
TK10P60WRVQ
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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