Número do Produto do Fabricante:
TK290A60Y,S4X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK290A60Y,S4X-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventário:
12889146
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TK290A60Y,S4X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
DTMOSV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 450µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
730 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
TK290A60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK290A60Y,S4X(S
TK290A60YS4X(S
TK290A60YS4X
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
R6015ENX
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
23
NÚMERO DA PEÇA
R6015ENX-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.61
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
SPA15N60C3XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
266
NÚMERO DA PEÇA
SPA15N60C3XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.58
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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