Número do Produto do Fabricante:
TK2R9E10PL,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK2R9E10PL,S1X-DG
Descrição:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 306W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12988460
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TK2R9E10PL,S1X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
U-MOSIX-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9500 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
306W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK2R9E10PL,S1X
264-TK2R9E10PLS1X
264-TK2R9E10PLS1X-DG
264-TK2R9E10PL,S1X-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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