TJ60S06M3L,LXHQ
Número do Produto do Fabricante:

TJ60S06M3L,LXHQ

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TJ60S06M3L,LXHQ-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+

Inventário:

1828 Pcs Novo Original Em Estoque
12939584
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TJ60S06M3L,LXHQ Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7760 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK+
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TJ60S06

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
TJ60S06M3L,LXHQ(O
264-TJ60S06M3LLXHQTR
264-TJ60S06M3LLXHQCT
264-TJ60S06M3LLXHQDKR
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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