Número do Produto do Fabricante:
XPW6R30ANB,L1XHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
XPW6R30ANB,L1XHQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventário:
762 Pcs Novo Original Em Estoque
12939599
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XPW6R30ANB,L1XHQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
45A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3240 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DSOP Advance
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
XPW6R30
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
XPW6R30ANB,L1XHQ(O
264-XPW6R30ANBL1XHQCT
264-XPW6R30ANBL1XHQTR
264-XPW6R30ANBL1XHQDKR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
XPH6R30ANB,L1XHQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9174
NÚMERO DA PEÇA
XPH6R30ANB,L1XHQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.70
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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