G05N06S2
Número do Produto do Fabricante:

G05N06S2

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

G05N06S2-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 60V 5A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Inventário:

20000 Pcs Novo Original Em Estoque
12988196
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

G05N06S2 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Recurso FET
Standard
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1374pF @ 30V
Potência - Máx.
3.1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOP
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
G05N

Informação Adicional

Outros nomes
4822-G05N06S2TR
Pacote padrão
4,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
infineon-technologies

IRF40H233ATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON

diodes

DMN5L06VKQ-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

microchip-technology

MSCSM120HM50T3AG

SIC 4N-CH 1200V 55A