Número do Produto do Fabricante:
SSM3J352F,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM3J352F,LF-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventário:
5843 Pcs Novo Original Em Estoque
12891504
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ENVIAR
SSM3J352F,LF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
210 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.2W (Ta)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
S-Mini
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
SSM3J352
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM3J352FLFDKR
SSM3J352F,LF(B
SSM3J352FLF(B
SSM3J352FLFCT
SSM3J352FLF
SSM3J352FLFTR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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