Número do Produto do Fabricante:
SSM3K35AMFV,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM3K35AMFV,L3F-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventário:
209110 Pcs Novo Original Em Estoque
12891507
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ENVIAR
SSM3K35AMFV,L3F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSIII
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.34 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
36 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
VESM
Pacote / Estojo
SOT-723
Número do produto base
SSM3K35
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM3K35AMFVL3F(B
SSM3K35AMFVL3FCT
SSM3K35AMFVL3F(T
SSM3K35AMFV,L3F(B
SSM3K35AMFVL3FTR
SSM3K35AMFVL3FDKR
SSM3K35AMFV,L3F(T
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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