Número do Produto do Fabricante:
TSM035NB04CZ
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM035NB04CZ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 18A (Ta), 157A (Tc) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
3850 Pcs Novo Original Em Estoque
12947702
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TSM035NB04CZ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6990 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TSM035
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
TSM035NB04CZ C0G
1801-TSM035NB04CZ
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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