Número do Produto do Fabricante:
PSMN1R9-40PL,127
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN1R9-40PL,127-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 150A (Ta) 349W (Ta) Through Hole TO-220AB
Inventário:
12947725
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PSMN1R9-40PL,127 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
150A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
349W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
PSMN1R9
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
NEXNEXPSMN1R9-40PL,127
2156-PSMN1R9-40PL,127-NEX
Pacote padrão
173
Classificação Ambiental e de Exportação
HTSUS
0000.00.0000
Certificação DIGI
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