Número do Produto do Fabricante:
STL19N60DM2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STL19N60DM2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventário:
99 Pcs Novo Original Em Estoque
12880502
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STL19N60DM2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
MDmesh™ DM2
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerFlat™ (8x8) HV
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
STL19
Informação Adicional
Outros nomes
-1138-STL19N60DM2CT
497-16361-6
-1138-STL19N60DM2DKR
497-16361-1
497-16361-2
-1138-STL19N60DM2TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB13N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2210
NÚMERO DA PEÇA
STB13N60M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.86
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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