Número do Produto do Fabricante:
IRF620
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF620-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12880506
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IRF620 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
PowerMESH™ II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
70W (Tc)
Temperatura de operação
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRF6
Informação Adicional
Outros nomes
497-3135
497-3135-NDR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF620PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
322
NÚMERO DA PEÇA
IRF620PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.40
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
RCX080N25
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
246
NÚMERO DA PEÇA
RCX080N25-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.43
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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