Número do Produto do Fabricante:
STH3N150-2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STH3N150-2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 1500 V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount H2PAK
Inventário:
12879239
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STH3N150-2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
PowerMESH™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
939 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
140W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Número do produto base
STH3N150
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-13876-1
497-13876-2
497-13876-6
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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