Número do Produto do Fabricante:
STFU25N60M2-EP
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STFU25N60M2-EP-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventário:
12879254
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STFU25N60M2-EP Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
MDmesh™ M2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
188mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.75V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1090 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220FP
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
STFU25
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
R6024ENX
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
464
NÚMERO DA PEÇA
R6024ENX-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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NÚMERO DA PEÇA
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FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
30
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
1.15
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
50
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PREÇO UNITÁRIO
1.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
46
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PREÇO UNITÁRIO
1.44
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
955
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PREÇO UNITÁRIO
2.53
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