STB42N60M2-EP
Número do Produto do Fabricante:

STB42N60M2-EP

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Número da Peça:

STB42N60M2-EP-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventário:

12880573
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

STB42N60M2-EP Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ M2-EP
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.75V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2370 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
STB42

Informação Adicional

Outros nomes
497-15896-2
497-15896-1
497-15896-6
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
stmicroelectronics

STD4NS25T4

MOSFET N-CH 250V 4A DPAK

stmicroelectronics

STB11NM60-1

MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK

stmicroelectronics

STB6N60M2

MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK

stmicroelectronics

STU16N65M2

MOSFET N-CH 650V 11A IPAK