Número do Produto do Fabricante:
STB11NM60-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STB11NM60-1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventário:
12880578
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STB11NM60-1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
MDmesh™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de operação
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
STB11N
Informação Adicional
Outros nomes
STB11NM60-1-DG
497-5379-5
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCI7N60
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
990
NÚMERO DA PEÇA
FCI7N60-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.21
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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