Número do Produto do Fabricante:
SCTWA30N120
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
SCTWA30N120-DG
Descrição:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 45A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
Inventário:
294 Pcs Novo Original Em Estoque
12876463
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SCTWA30N120 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 1mA (Typ)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
270W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
HiP247™ Long Leads
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SCTWA30
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-1138-SCTWA30N120
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
STB200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
STL33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
STP2NK60Z
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
