Número do Produto do Fabricante:
STP2NK60Z
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STP2NK60Z-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12876490
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STP2NK60Z Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
SuperMESH™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
170 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
STP2N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-4377-5
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCP4N60
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1335
NÚMERO DA PEÇA
FCP4N60-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IRFBE20PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1496
NÚMERO DA PEÇA
IRFBE20PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.60
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
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