Número do Produto do Fabricante:
SCT070H120G3AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT070H120G3AG-DG
Descrição:
H2PAK-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventário:
13269545
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SCT070H120G3AG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 15A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4.2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+18V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 850 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
223W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2PAK-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Informação Adicional
Outros nomes
497-SCT070H120G3AGTR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
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