Número do Produto do Fabricante:
SCT018H65G3AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT018H65G3AG-DG
Descrição:
H2PAK-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 385W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventário:
13269556
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SCT018H65G3AG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 30A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4.2V @ 5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
79.4 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2124 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
385W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2PAK-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Informação Adicional
Outros nomes
497-SCT018H65G3AGTR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
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