Número do Produto do Fabricante:
SCT040H65G3AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT040H65G3AG-DG
Descrição:
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 221W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventário:
12985643
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SCT040H65G3AG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4.2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
39.5 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+18V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
920 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
221W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2PAK-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número do produto base
SCT040
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-SCT040H65G3AGDKR
497-SCT040H65G3AGCT
497-SCT040H65G3AGTR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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