SI2319DS-T1-BE3
Número do Produto do Fabricante:

SI2319DS-T1-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI2319DS-T1-BE3-DG

Descrição:

P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Descrição Detalhada:
P-Channel 40 V 2.3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventário:

7736 Pcs Novo Original Em Estoque
12985674
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SI2319DS-T1-BE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
470 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
742-SI2319DS-T1-BE3DKR
742-SI2319DS-T1-BE3TR
742-SI2319DS-T1-BE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
rohm-semi

RSR025N05TL

NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET

international-rectifier

AUIRFZ24NSTRL

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

micro-commercial-components

MCAC80N06YA-TP

MCAC80N06YA-TP

rohm-semi

RS1G201ATTB1

MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP