Número do Produto do Fabricante:
SCT4062KRC15
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT4062KRC15-DG
Descrição:
1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W Through Hole TO-247-4L
Inventário:
4950 Pcs Novo Original Em Estoque
12976100
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SCT4062KRC15 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
81mOhm @ 12A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4.8V @ 6.45mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+21V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1498 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
115W
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4L
Pacote / Estojo
TO-247-4
Número do produto base
SCT4062
Informação Adicional
Outros nomes
846-SCT4062KRC15
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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