Número do Produto do Fabricante:
RF1S23N06LE
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
RF1S23N06LE-DG
Descrição:
23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 23A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Inventário:
2400 Pcs Novo Original Em Estoque
12976139
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RF1S23N06LE Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 23A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
850 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK (TO-262)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
HARHARRF1S23N06LE
2156-RF1S23N06LE
Pacote padrão
423
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificação DIGI
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