Número do Produto do Fabricante:
RF4E060AJTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RF4E060AJTCR-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventário:
2309 Pcs Novo Original Em Estoque
13524226
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RF4E060AJTCR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
450 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
HUML2020L8
Pacote / Estojo
8-PowerUDFN
Número do produto base
RF4E060
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RF4E060AJTCRDKR
RF4E060AJTCRTR
RF4E060AJTCRCT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
PMPB29XNE,115
FABRICANTE
NXP USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
19000
NÚMERO DA PEÇA
PMPB29XNE,115-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.09
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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