Número do Produto do Fabricante:
SCT2750NYTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT2750NYTB-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Descrição Detalhada:
N-Channel 1700 V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268
Inventário:
13526682
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SCT2750NYTB Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
975mOhm @ 1.7A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 630µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
275 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
57W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268
Pacote / Estojo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número do produto base
SCT2750
Folha de Dados & Documentos
Documentos de confiabilidade
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SCT2750NYTBDKR
SCT2750NYTBTR
SCT2750NYTBCT
Pacote padrão
400
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
G2R1000MT17J
FABRICANTE
GeneSiC Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
13576
NÚMERO DA PEÇA
G2R1000MT17J-DG
PREÇO UNITÁRIO
5.86
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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