RQ6E085BNTCR
Número do Produto do Fabricante:

RQ6E085BNTCR

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

RQ6E085BNTCR-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Inventário:

3490 Pcs Novo Original Em Estoque
13526693
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RQ6E085BNTCR Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.4mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
32.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TSMT6 (SC-95)
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número do produto base
RQ6E085

Folha de Dados & Documentos

Informação Adicional

Outros nomes
RQ6E085BNTCRCT
RQ6E085BNTCRDKR
RQ6E085BNTCRTR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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