RX3P10BBHC16

Número do Produto do Fabricante:

RX3P10BBHC16

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

RX3P10BBHC16-DG

Descrição:

NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M

Descrição Detalhada:

N-Channel 100 V 100A (Tc) 189W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

1000 Pcs Novo Original Em Estoque

12993674

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RX3P10BBHC16 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

ROHM Semiconductor

Embalagem

Tube

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

100 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 90A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 1mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

135 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

8600 pF @ 50 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

189W (Tc)

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-220AB

Pacote / Estojo

TO-220-3

Número do produto base

RX3P10

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

RX3P10BBHC16-DG

Informação Adicional

Outros nomes

846-RX3P10BBHC16

Pacote padrão

1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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