Número do Produto do Fabricante:
SCT3040KRC15
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT3040KRC15-DG
Descrição:
1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 55A (Tj) 262W Through Hole TO-247-4L
Inventário:
405 Pcs Novo Original Em Estoque
12993786
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SCT3040KRC15 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
55A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5.6V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1337 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
262W
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4L
Pacote / Estojo
TO-247-4
Número do produto base
SCT3040
Informação Adicional
Outros nomes
846-SCT3040KRC15
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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