Número do Produto do Fabricante:
GNP1150TCA-ZE2
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GNP1150TCA-ZE2-DG
Descrição:
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount DFN8080AK
Inventário:
3051 Pcs Novo Original Em Estoque
13000714
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
GNP1150TCA-ZE2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 5.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 1.9A, 5.5V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 18mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.7 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+6V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
112 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN8080AK
Pacote / Estojo
8-PowerDFN
Número do produto base
GNP1150
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-GNP1150TCA-ZE2CT
846-GNP1150TCA-ZE2TR
846-GNP1150TCA-ZE2DKR
Pacote padrão
3,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
DMN2310U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMTH8008LFG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
STP80N600K6
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,